规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 180 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 5nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 330pF @ 10V |
功率 - 最大 | 480mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16488?mpart=FDG312P&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
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